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Informazioni sul prodotto
Descrizione
Dettagli tecnici
| Caratteristiche (transistor) | NPN |
| Case (semiconduttori) | TO-3 |
| Collettore di corrente I(C) | 30 A |
| Corrente di dispersione di collettore I(CES) | 1 mA |
| Frequenza di transizione f(T) | 2 MHz |
| Guadagno di corrente DC (hFE) | 25 |
| Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento | 7.5 A |
| Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento | 2 V |
| Metodo di montaggio | Foro passante |
| Numero canali | 1 |
| Potenza (max) P(TOT) | 200 W |
| Saturazione VCE (max.) | 800 mV |
| Sigla produttore (componenti) | OnS |
| Tensione emissione collettore U(CEO) | 90 V |
Requisiti di sistema
null
Caratteristiche
- MarcheON SEMICONDUCTOR
- Lunghezza3.9 cm
- Larghezza2.6 cm
- Altezza2.1 cm
- Peso110 g
Recensioni dei clienti
5,0
/ 1 Recensioni
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