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Informazioni sul prodotto
Descrizione
Dettagli tecnici
| Caratteristiche (transistor) | NPN |
| Case (semiconduttori) | TO-3 |
| Collettore di corrente I(C) | 20 A |
| Corrente di dispersione di collettore I(CES) | 250 µA |
| Frequenza di transizione f(T) | 2 MHz |
| Guadagno di corrente DC (hFE) | 25 |
| Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento | 5 A |
| Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento | 2 V |
| Metodo di montaggio | Foro passante |
| Numero canali | 1 |
| Potenza (max) P(TOT) | 250 W |
| Saturazione VCE (max.) | 1 V |
| Sigla produttore (componenti) | OnS |
| Tensione emissione collettore U(CEO) | 140 V |
Requisiti di sistema
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Caratteristiche
- MarcheON SEMICONDUCTOR
- Lunghezza3.9 cm
- Larghezza2.5 cm
- Altezza2 cm
- Potenza250 W
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