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ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJ11016G TO-3 Numero canali 1 NPN - Darlington
Venduto da Conrad
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Informazioni sul prodotto
Descrizione
Dettagli tecnici
| Caratteristiche (transistor) | NPN - Darlington |
| Case (semiconduttori) | TO-3 |
| Collettore di corrente I(C) | 30 A |
| Corrente di dispersione di collettore I(CES) | 1 mA |
| Frequenza di transizione f(T) | 4 MHz |
| Guadagno di corrente DC (hFE) | 1000 |
| Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento | 20 A |
| Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento | 5 V |
| Metodo di montaggio | Foro passante |
| Numero canali | 1 |
| Potenza (max) P(TOT) | 200 W |
| Saturazione VCE (max.) | 4 V |
| Sigla produttore (componenti) | OnS |
| Tensione emissione collettore U(CEO) | 120 V |
Requisiti di sistema
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Caratteristiche
- MarcheON SEMICONDUCTOR
- ColoreGrigio
- Quantità di moduli1
- Intensità di corrente30 A
- Larghezza9.1 cm
- Con spia luminosaNo
- Completo / ComponibileCompletare
- ConnessoNo
- ImpermeabileNo
- Altezza2 cm
- MaterialeMetallo
- Meccanismo di commutazioneInterruttore
- Tipo di installazione elettricaCon viti
- Quantità di poli1
- PaccoNo
- Potenza200 W
- Tipo di contattoNormalmente chiuso
- Referenza ManoManoME5990864
- MMID103522923542
- Rif. costruttoremj11016g
- EAN2050000013713
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