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ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJ11016G TO-3 Numero canali 1 NPN - Darlington

Venduto da Conrad

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Informazioni sul prodotto

Descrizione

Descrizione generale

Il transistor ON Semiconductor MJ11016G è un dispositivo NPN di tipo Darlington, progettato per applicazioni ad alta potenza. Con una robusta costruzione in ottone e una corazza in acciaio carbonitrurato, questo transistor è ideale per gestire carichi elevati e garantire prestazioni affidabili.

Specifiche tecniche

  • Tipo: NPN - Darlington
  • Case: TO-3
  • Collettore di corrente I(C): 30 A
  • Corrente di dispersione di collettore I(CES): 1 mA
  • Frequenza di transizione f(T): 4 MHz
  • Guadagno di corrente DC (hFE): 1000
  • Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: 20 A
  • Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: 5 V
  • Metodo di montaggio: Foro passante
  • Numero canali: 1
  • Potenza (max) P(TOT): 200 W
  • Saturazione VCE (max): 4 V
  • Tensione emissione collettore U(CEO): 120 V
  • Altre informazioni

  • Corpo in ottone rivestito da corazza in acciaio carbonitrurato
  • Gancio cementato temprato
  • Caratteristiche

    • Marche
      ON SEMICONDUCTOR
    • Lunghezza
      3.9 cm
    • Larghezza
      9.1 cm
    • Altezza
      2 cm
    • Potenza
      200 W
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