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ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 Canale N 235 W TO-220-3

Name: ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 Canale N 235 W TO-220-3
Brand: ON SEMICONDUCTOR
SKU: FDP18N50
Price: 35.11 EUR
Availability: InStock

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Informazioni sul prodotto

Descrizione

Descrizione generale

Il MOSFET ON Semiconductor FDP18N50 è un transistor a canale N progettato per applicazioni ad alta potenza. Con una potenza massima di 235 W e una corrente di drain di 18 A, è ideale per l'uso in circuiti di commutazione e amplificazione. Questo componente è racchiuso in un involucro TO-220-3, che facilita il montaggio tramite foro passante.

Specifiche tecniche

C(ISS): 2860 pF

Tensione di riferimento: 25 V

Numero canali: 1

Potenza massima (P(TOT)): 235 W

Q(G): 60 nC

R(DS)(on): 265 mΩ a 9 A e 10 V

Tensione di interruzione (U(BR)(DSS)): 500 V

Corrente di riferimento max: 250 µA

Tensione di soglia (U(GS)(th) max): 5 V

Temperatura d'esercizio: da -55 °C a +150 °C

Caratteristiche

Marche
ON SEMICONDUCTOR
Certificazione ambientale
FSC
Certificazione NF
NF220
Origine
Prodotto in Cina
Colore
Nero
Altezza
4.7 mm
Intensità di corrente
18 A
Intensità nominale
CA
Larghezza
10.67 mm
Materiale
Plastica
Tipo di installazione elettrica
Con viti
Potenza
235 W
Rete elettrica
Monofase
Tensione elettrica
25 V
Tipo di bobina
Classico
Tipo di contatto
Normalmente chiuso
Referenza ManoMano
ME85665517
MMID
937390809405
Rif. costruttore
FDP18N50
EAN
2050002644885

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