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Informazioni sul prodotto
Descrizione
Dettagli tecnici
| C(ISS) | 2860 pF |
| C(ISS) Tensione riferimento | 25 V |
| Caratteristiche (transistor) | Canale N |
| Caratteristiche Transistor | Standard |
| Case (semiconduttori) | TO-220-3 |
| I(d) | 18 A |
| Metodo di montaggio | Foro passante |
| Numero canali | 1 |
| Potenza (max) P(TOT) | 235 W |
| Q(G) | 60 nC |
| Q(G) Tensione di riferimento | 10 V |
| R(DS)(on) | 265 mΩ |
| R(DS)(on) Corrente di riferimento | 9 A |
| R(DS)(on) Tensione di riferimento | 10 V |
| Serie (semiconduttori) | UniFET™ |
| Sigla produttore (componenti) | OnS |
| Temperatura d'esercizio (min.) (n.) | -55 °C |
| Temperatura di esercizio (max.) | +150 °C |
| Tensione di interruzione U(BR) (DSS) | 500 V |
| U(DSS) | 500 V |
| U(GS)(th) Corrente di riferimento max. | 250 µA |
| U(GS)(th) max. | 5 V |
Caratteristiche
- MarcheON SEMICONDUCTOR
- OrigineProdotto in Cina
- ColoreNero
- Altezza4.7 mm
- Intensità di corrente18 A
- Larghezza10.67 mm
- MaterialePlastica
- Tipo di installazione elettricaCon viti
- Potenza235 W
- Rete elettricaMonofase
- Tipo di contattoNormalmente chiuso
- Referenza ManoManoME85665517
- MMID937390809405
- Rif. costruttoreFDP18N50
- EAN2050002644885
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