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ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 Canale N 235 W TO-220-3

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Informazioni sul prodotto

Descrizione

Descrizione generale

Il MOSFET ON Semiconductor FDP18N50 è un transistor a canale N progettato per applicazioni ad alta potenza. Con una potenza massima di 235 W e una corrente di drain di 18 A, è ideale per l'uso in circuiti di commutazione e amplificazione. Questo componente è racchiuso in un involucro TO-220-3, che facilita il montaggio tramite foro passante.

Specifiche tecniche

  • C(ISS): 2860 pF
  • Tensione di riferimento: 25 V
  • Numero canali: 1
  • Potenza massima (P(TOT)): 235 W
  • Q(G): 60 nC
  • R(DS)(on): 265 mΩ a 9 A e 10 V
  • Tensione di interruzione (U(BR)(DSS)): 500 V
  • Corrente di riferimento max: 250 µA
  • Tensione di soglia (U(GS)(th) max): 5 V
  • Temperatura d'esercizio: da -55 °C a +150 °C
  • Caratteristiche

    • Marche
      ON SEMICONDUCTOR
    • Lunghezza
      3.124 cm
    • Potenza
      235 W
    • Tensione elettrica
      25 V
    • Intensità di corrente
      18 A
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