Descrizione generale
Il transistor N-MOSFET IRF640PBF è un componente elettronico di alta qualità prodotto da Infineon. Questo transistor unipolare è progettato per gestire tensioni elevate e correnti significative, rendendolo ideale per applicazioni di potenza. Con una tensione di scarico della sorgente di 200V e una corrente di drenaggio di 11A, è perfetto per circuiti di alimentazione e controllo. La sua potenza dissipata massima è di 125W, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni di carico elevato.Specifiche tecniche
- Tipo di transistor: N-MOSFET
- Polarizzazione: unipolare
- Tensione di scarico della sorgente: 200V
- Corrente di drenaggio: 11A
- Potenza dissipata: 125W
- Alloggiamento: TO220AB
- Tensione di alimentazione della porta: ±20V
- Resistenza in stato di trasferimento: 0.18Ω
- Caricamento porta: 70nC
- Assemblea: THT
Altre informazioni
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