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Informazioni sul prodotto
Descrizione
Dettagli tecnici
| C(ISS) | 6250 pF |
| C(ISS) Tensione riferimento | 25 V |
| Caratteristiche (transistor) | Canale N |
| Caratteristiche Transistor | Standard |
| Case (semiconduttori) | TO-3P |
| I(d) | 60 A |
| Metodo di montaggio | Foro passante |
| Numero canali | 1 |
| Potenza (max) P(TOT) | 1040 W |
| Q(G) | 96 nC |
| Q(G) Tensione di riferimento | 10 V |
| R(DS)(on) | 100 mΩ |
| R(DS)(on) Corrente di riferimento | 30 A |
| R(DS)(on) Tensione di riferimento | 10 V |
| Serie (semiconduttori) | HiPerFET™, Polar3™ |
| Sigla produttore (componenti) | IXY |
| Temperatura d'esercizio (min.) (n.) | -55 °C |
| Temperatura di esercizio (max.) | +150 °C |
| Tensione di interruzione U(BR) (DSS) | 500 V |
| U(DSS) | 500 V |
| U(GS)(th) Corrente di riferimento max. | 4 mA |
| U(GS)(th) max. | 5 V |
Requisiti di sistema
null
Caratteristiche
- MarcheIXYS
- Lunghezza3.79 cm
- Tensione elettrica10 V
- Intensità di corrente60 A
- MaterialePlastica
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