Descrizione generaleIl MOSFET Infineon Technologies SPP20N60C3 è un transistor a canale N progettato per applicazioni ad alta potenza. Con un design robusto e una potenza massima di 208 W, è ideale per circuiti di commutazione e amplificazione.Specifiche tecnicheTipo: MOSFET a canale NCase: TO-220Corrente massima (I(d)): 20.70 ANumero di canali: 1Potenza massima (P(TOT)): 208 WResistenza (R(DS)(on)): 0.19 ΩTensione di interruzione (U(BR)(DSS)): 650 V