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Informazioni sul prodotto
Descrizione
Dettagli tecnici
| C(ISS) | 19860 pF |
| C(ISS) Tensione riferimento | 50 V |
| Caratteristiche (transistor) | Canale N |
| Caratteristiche Transistor | Standard |
| Case (semiconduttori) | TO-247AC |
| I(d) | 195 A |
| Metodo di montaggio | Foro passante |
| Numero canali | 1 |
| Potenza (max) P(TOT) | 520 W |
| Q(G) | 540 nC |
| Q(G) Tensione di riferimento | 10 V |
| R(DS)(on) | 2.6 mΩ |
| R(DS)(on) Corrente di riferimento | 180 A |
| R(DS)(on) Tensione di riferimento | 10 V |
| Serie (semiconduttori) | HEXFET® |
| Sigla produttore (componenti) | INF |
| Temperatura d'esercizio (min.) (n.) | -55 °C |
| Temperatura di esercizio (max.) | +175 °C |
| Tensione di interruzione U(BR) (DSS) | 100 V |
| U(DSS) | 100 V |
| U(GS)(th) Corrente di riferimento max. | 250 µA |
| U(GS)(th) max. | 4 V |
Caratteristiche
- MarcheINFINEON TECHNOLOGIES
- Lunghezza3.5 cm
- Larghezza16 mm
- Altezza5 mm
- Potenza520 W
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