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Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 Canale N 370 W TO-220AB

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Informazioni sul prodotto

Descrizione

Dettagli tecnici

C(ISS) 9620 pF
C(ISS) Tensione riferimento 50 V
Caratteristiche (transistor) Canale N
Caratteristiche Transistor Standard
Case (semiconduttori) TO-220AB
I(d) 120 A
Metodo di montaggio Foro passante
Numero canali 1
Potenza (max) P(TOT) 370 W
Q(G) 210 nC
Q(G) Tensione di riferimento 10 V
R(DS)(on) 4.5 mΩ
R(DS)(on) Corrente di riferimento 75 A
R(DS)(on) Tensione di riferimento 10 V
Serie (semiconduttori) HEXFET®
Sigla produttore (componenti) INF
Temperatura d'esercizio (min.) (n.) -55 °C
Temperatura di esercizio (max.) +175 °C
Tensione di interruzione U(BR) (DSS) 100 V
U(DSS) 100 V
U(GS)(th) Corrente di riferimento max. 250 µA
U(GS)(th) max. 4 V

Requisiti di sistema

null

Caratteristiche

  • Marche
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Colore
    Nero
  • Altezza
    5 mm
  • Intensità di corrente
    120 A
  • Larghezza
    10 mm
  • Materiale
    Metallo
  • Tipo di installazione elettrica
    Con viti
  • Potenza
    370 W
  • Rete elettrica
    Monofase
  • Tipo di bobina
    Classico
  • Tipo di contatto
    Normalmente aperto
  • Referenza ManoMano
    ME5997959
  • MMID
    963418230292
  • Rif. costruttore
    IRFB4110PBF
  • EAN
    2050001540430
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