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Transistor Hgtp20n60a4 Igbt 600v 70a 290w To220 Hgtp20n60a4

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Informazioni sul prodotto

Descrizione

Descrizione generale

Il transistor Hgtp20n60a4 è un dispositivo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) progettato per applicazioni ad alta potenza. Questo componente è ideale per l'uso in circuiti di commutazione e controllo di potenza, grazie alla sua elevata capacità di gestione della corrente e della tensione.

Specifiche tecniche

  • Produttore: ON SEMICONDUCTOR
  • Tipo di transistor: IGBT
  • Tensione collettore-emettitore: 600V
  • Corrente del collettore: 40A
  • Potenza dissipata: 290W
  • Custodia: TO220-3
  • Ingresso - tensione del trasmettitore: ±20V
  • Corrente del collettore in impulso: 280A
  • Carico della porta: 210nC

    • Caratteristiche

    • Marche
      ON SEMICONDUCTOR
    • Garanzia
      3 anno(i)
    • Colore
      Multicolore
    • Altezza
      100 mm
    • Intensità di corrente
      70 A
    • Larghezza
      100 mm
    • Materiale
      Plastica
    • Tipo di installazione elettrica
      Con viti
    • Peso
      100 g
    • Potenza
      290 W
    • Tensione elettrica
      20 V
    • Referenza ManoMano
      ME40447417
    • MMID
      943655786222
    • Rif. costruttore
      15266-DI
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