Transistor con diodo 600v 80a 195w Igbt To-3p Sgh80n60ufd Sgh80n60ufd

Venduto da Electropolis

Informazioni sul prodotto

Descrizione

Descrizione generale

Il transistor IGBT SGH80N60UFD è un componente elettronico di alta qualità progettato per applicazioni che richiedono elevate prestazioni. Questo transistor è ideale per l'uso in circuiti di potenza, grazie alla sua capacità di gestire tensioni e correnti elevate.

Specifiche tecniche

Tensione collettore-emettitore VCEO max: 600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2.1 V

Tensione massima dell'emettitore della porta: 20 V

Corrente continua dal collettore a 25 °C: 80 A

Dissipazione di potenza (Pd): 195 W

Temperatura minima di esercizio: -55 °C

Temperatura massima di esercizio: 150 °C

Corrente di dispersione dell'emettitore della porta: -100 nA

Dimensioni: Altezza 18,9 mm, Lunghezza 15,8 mm, Larghezza 5 mm

Stile di montaggio: Foro passante

Imballaggio / Custodia: TO-3P-3

Mark: ON Semiconductor / Fairchild

Caratteristiche

Marche
ON SEMICONDUCTOR
Garanzia
3 anno(i)
Colore
Nero
Altezza
100 mm
Intensità di corrente
80 A
Materiale
Plastica
Tipo di installazione elettrica
Con viti
Peso
100 g
Potenza
195 W
Tensione elettrica
5 V
Referenza ManoMano
ME40445146
MMID
900733690308
Rif. costruttore
20892-DI

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