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Transistor con diodo 600v 80a 195w Igbt To-3p Sgh80n60ufd Sgh80n60ufd

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13,99 €46
Venduto da Electropolis

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Informazioni sul prodotto

Descrizione

Descrizione generale

Il transistor IGBT SGH80N60UFD è un componente elettronico di alta qualità progettato per applicazioni che richiedono elevate prestazioni. Questo transistor è ideale per l'uso in circuiti di potenza, grazie alla sua capacità di gestire tensioni e correnti elevate.

Specifiche tecniche

  • Tensione collettore-emettitore VCEO max: 600 V
  • Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2.1 V
  • Tensione massima dell'emettitore della porta: 20 V
  • Corrente continua dal collettore a 25 °C: 80 A
  • Dissipazione di potenza (Pd): 195 W
  • Temperatura minima di esercizio: -55 °C
  • Temperatura massima di esercizio: 150 °C
  • Corrente di dispersione dell'emettitore della porta: -100 nA
  • Dimensioni: Altezza 18,9 mm, Lunghezza 15,8 mm, Larghezza 5 mm
  • Stile di montaggio: Foro passante
  • Imballaggio / Custodia: TO-3P-3
  • Mark: ON Semiconductor / Fairchild
  • Caratteristiche

    • Marche
      ON SEMICONDUCTOR
    • Lunghezza
      10 cm
    • Larghezza
      5 mm
    • Altezza
      100 mm
    • Peso
      100 g
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    Lo specialista del fai da te, della casa e del giardino

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    Pagamento in 3x senza costi aggiuntivi

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    Oltre 7 milioni di clienti pro e privati

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