BC558B/25-PCS/PNP 100mA 30V 500mW 150MHz 200 TO-92

PNP 100mA 30V 500mW 150MHz 200 Descrizione Il BC558B è un piccolo transistor bipolare PNP in un package TO-92, progettato per applicazioni a bassa potenza e segnale. La versione "B" indica il gruppo a guadagno di corrente medio (hFE). È adatto per amplificare segnali, elementi di commutazione a bassa corrente e per l'uso come elemento complementare ai comuni NPN (ad es. BC548). Parametri di base (tipici / massimi) Tipo di corrente: PNP Corrente massima di collettore: 100 mA Tensione massima collettore-emettitore (Vceo): circa 30 V Dissipazione di potenza massima: circa 500 mW (TO-92) Frequenza di taglio (fT): ~150 MHz Guadagno di corrente (hFE, gruppo B): tipico, circa 200 (verificare il datasheet per le condizioni di prova specifiche) Applicazioni Stadi di ingresso audio a basso rumore e preamplificatori. Amplificatori per piccoli segnali per uso generale. Stadi differenziali e circuiti complementari (in combinazione con NPN). Interruttori e circuiti di controllo per basse correnti nell'elettronica di consumo. Circuiti di misura e amplificatori di segnale per sensori. Circuiti di prototipazione e didattici che richiedono transistor PNP economici e facilmente reperibili. Vantaggi: Versatile – adatto a molte tipiche applicazioni a piccolo segnale. Buon fattore di amplificazione per la versione B, utile dove è richiesto un guadagno di corrente maggiore. Prezzo basso e ampia disponibilità. Compatibile con le famiglie di transistor più diffuse (facile accoppiamento PNP/NPN). Contenitore TO-92 di piccole dimensioni – consente di risparmiare spazio nei circuiti a foro passante. Note pratiche: Consultare il datasheet del produttore per la piedinatura esatta e le caratteristiche nelle condizioni operative selezionate. A causa delle limitate perdite di potenza e del contenitore TO-92, a potenze più elevate, assicurarsi di un raffreddamento adeguato o utilizzare un transistor in un contenitore diverso. Nella progettazione di circuiti audio, è opportuno considerare le caratteristiche di rumore e il punto di funzionamento per sfruttare le proprietà di basso rumore del transistor.