Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 Canale N 370 W TO-220AB
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Informazioni sul prodotto
Descrizione
Dettagli tecnici
| C(ISS) | 11360 pF |
| C(ISS) Tensione riferimento | 50 V |
| Caratteristiche (transistor) | Canale N |
| Caratteristiche Transistor | Logic Level Gate |
| Case (semiconduttori) | TO-220AB |
| I(d) | 180 A |
| Metodo di montaggio | Foro passante |
| Numero canali | 1 |
| Potenza (max) P(TOT) | 370 W |
| Q(G) | 130 nC |
| Q(G) Tensione di riferimento | 4.5 V |
| R(DS)(on) | 4.3 mΩ |
| R(DS)(on) Corrente di riferimento | 110 A |
| R(DS)(on) Tensione di riferimento | 10 V |
| Serie (semiconduttori) | HEXFET® |
| Sigla produttore (componenti) | INF |
| Temperatura d'esercizio (min.) (n.) | -55 °C |
| Temperatura di esercizio (max.) | +175 °C |
| Tensione di interruzione U(BR) (DSS) | 100 V |
| U(DSS) | 100 V |
| U(GS)(th) Corrente di riferimento max. | 250 µA |
| U(GS)(th) max. | 2.5 V |
Requisiti di sistema
null
Caratteristiche
- MarcheINFINEON TECHNOLOGIES
- ColoreNero
- MaterialePlastica
- Tipo di installazione elettricaCon viti
- Potenza370 W
- Rete elettricaMonofase
- Tipo di bobinaClassico
- Tipo di contattoNormalmente chiuso
- Referenza ManoManoME5998064
- MMID388472153859
- Rif. costruttoreIRLB4030PBF
- EAN2050001542076
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