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Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 Canale N 208 W TO-247

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Informazioni sul prodotto

Descrizione

Descrizione generale

Il MOSFET Infineon Technologies SPW20N60S5 è un transistor a canale N progettato per applicazioni ad alta potenza. Con una potenza massima di 208 W e una corrente di drain di 20 A, è ideale per circuiti di commutazione e gestione dell'energia.

Specifiche tecniche

C(ISS): 3000 pF

Tensione di riferimento: 25 V

Tipo di transistor: Canale N

Case: TO-247

I(d): 20 A

Metodo di montaggio: Foro passante

Numero canali: 1

Potenza massima (P(TOT)): 208 W

Q(G): 103 nC

R(DS)(on): 190 mΩ

Corrente di riferimento: 13 A

Tensione di riferimento per R(DS)(on): 10 V

Temperatura d'esercizio (min.): -55 °C

Temperatura d'esercizio (max.): +150 °C

Tensione di interruzione (U(BR)(DSS)): 600 V

U(GS)(th) min.: 1 mA

U(GS)(th) max.: 5.5 V

Caratteristiche

Marche
INFINEON TECHNOLOGIES
Potenza
208 W
Tensione elettrica
10 V
Intensità di corrente
20 A
Materiale
Silicone / Carburo di silicio

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