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Informazioni sul prodotto
Descrizione
Dettagli tecnici
| Case (semiconduttori) | GBPC |
| Configurazione (diodo) | Monofase |
| Corrente diretta I(F) | 35 A |
| Corrente diretta U(F) | 1.1 V |
| Corrente inversa I (r) | 5 µA |
| Corrente inversa I (r) - Riferimento | 100 V |
| I(FSM 60Hz) | 400 A |
| Metodo di montaggio | Custodia |
| Sigla produttore (componenti) | OnS |
| Temperatura d'esercizio (min.) (n.) | -55 °C |
| Temperatura di esercizio (max.) | +150 °C |
| Tensione diretta di riferimento | 17.5 A |
| U(RRM) | 100 V |
Raddrizzatore a ponte
Raddrizzatori dei maggiori costruttori. Si prega di consultare sempre la documentazione completa, scaricabile gratuitamente dal sito.
Requisiti di sistema
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Caratteristiche
- MarcheON SEMICONDUCTOR
- Lunghezza3.05 cm
- Larghezza2.9 cm
- Altezza2.9 cm
- Tensione elettrica100 V
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